nx دارای 22 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد nx کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز nx2 آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي nx،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد
بخشی از متن nx :
الكتریسیته و مغناطیس و انرژی خورشیدی
مدار جاری و لامپ روشن میشود. لازم نیست كه چند دقیقه، یا حتی چند ثانیه صبر كنیم تا آثار جریان را در مدار مشاهده كنیم. ضمناُ به نظر میرسد كه فاصله بین كلید و لامپ، كه معمولاً خیلی بیشتر از cm10 است، بر زمان بروز آثار الكتریكی تأثیر محسوسی ندارد.نكته آن است كه برای اینكه فیلامان به جریان پاسخ دهد، لازم نیست صبر كنید تا یك الكترون معین از سر باتری به لامپ برسد. وقتی كه كلید را میبندیم، همه توزیع بار درون رسانات، تقریباً بلافاصله، به حركت درمیآید؛ این موضوع شبیه ان است كه آب درون یك لوله دراز بلافاصله پس از بازكردن شیر جاری میشود.
20-3 مقاومت و مقاومت ویژهاگر سیمی بین دو قطب باتری ببندیم، بارهای مثبت از داخل این مدار خارجی جاری میشوند و از قطب مثبت به قطب منفی، یعنی، مطابق شكل20-7، از نقطه با پتانسیل بیشتر به نقطه با پتانسیل كمتر میروند. در داخل باتری جریانبارهای مثبت از قطب منفی به قطب مثبت، یعنی در خلاف جهت میدان الكتریكی، است؛ در داخل باتری، عامل حركت بارها میدان الكترواستاتیكی نیست بلكه واكنش شیمیایی باتری است. در مدار خارجی، عامل حركت بارها مبدان E است. به عنوان نمونهای مشابه با جریان بار در مدارهای الكتریكی میتوان از جریان آب در سیستمهای هیدرولیكی نام برد. آب در میدان گرانشی همیشه به پایین جاری میشود؛ اما ابزارهایی – مثل تلمبه – وجود دارد كه با گرفتن انرژی از سایر منبعها، آب را به بالا میرانند.
اگر سیم بین قطبهای باتری، یك رسانای كامل و ایدهآل باشد كه بر بارهای متحرك آن هیچ نیرویی جز نیروی الكتروستاتیكی خارج وارد نمیآید، این بارها بر اثر میدان E به طور یكنواخت شتاب میگیرند. درنتیجه، سرعت متوسط حاملهای بار در طول زمان به طور پیوسته زیاد میشود، و به همین ترتیب، جریان نیز افزایش مییابد. اما عملاً چنین نیست. جریان به سرعت به مقداری ثابت میرسد كه متناسب با اختلاف پتانسیل دو سر سیم است. علت این امر آن است كه سیم در برابر حركت حاملهای بار مقاومت میكند و درنتیجه حالت پایا دست میدهد.
بنابر تعریف، مقاومت سیم عبارت است از نسبت ولتاژ به جریان؛ یعنی:(20-5) كه R مقاومت، I جریانی كه از این مقاومت میگذرد، و V افت پتانسیل در طول این مقاومت است؛ یعنی V اختلاف پتانسیل دو سر عنصر مقاومتی در شرایطی است كه جریان I از آن میگذرد. واحد مقاومت اهم ، به نام گئورك سیمون اهم (1787-1854) است. هر اهم برابر است با یك ولت بر آمپر. هر عنصر مداری را كه فقط مقاومت وارد مدار كند، مقاومت (خالص) مینامند.در اكثر موارد، مقاومت عناصر مداری، دست كم در گسترهای وسیع از جریان، از جریان داخل آن مستقل است. معادله (20-5) یا رابطه معادل آن.
(20-6) را كه R ثابت فرض میشود، قانون اهم مینامند.مثال 20-2 یك مقاومت را به قطبهای یك باتری V10 بستهاند. جریان در این مقاومت چه قدر است؟حل: از معادله تعریف كننده R، یعنی معادله (20-5)، داریم
بدینسان:
قانوه اهم، برخلاف قوانین حركت نیوتون، قانون دوم ترمودینامیك، یا قوانین پایستگی انرژی و اندازه حركت، از جمله قوانین بنیادی طبعت محسوب نمیشود. بسیاری از سیستمهای مقاومتی از قانون اهم پیروی نمیكنند. این سیستمها در الكترونیك حالت جامد نقشی كلیدی بازی میكنند. اما قانون اهم برای اكثر عناصر ساده مداری، مانند سیم، گرمكن برقی و مانند آن، یا صادق است، یا دست كم تقریبی خوب به شمار میاید.
مقاومت رساناها به طول، l ، مساحت سطح مقطع، A، و یك خاصیت ذاتی ماده رسانا، یعنی مقاومت ویژه، بستگی دارد. رابطه بین مقاومت، R، و مقاومت ویژه، l، به این قرار است(20-7) واحد مقاومت ویژه اهم متر است.گستره مقدار مقاومت ویژه مواد در دمای اتاق وسیع است؛ از مقادیر كم برای فلزات بسیار خالص، مثل مس و نقره، گرفته تا مقادیر بسیار بزرگ برای نارساناهای خوب، مانند شیشه، تفلون، و میلار. مقاومت ویژه چند فلز خالص، آلیاژ، نیمرسانا و نارسانا در دمای ، در جدول 20-1 درج شدهاند. گستره این مقادیر 25 دهه (مرتبه بزرگی) است.
جدول 20-1 مقاومت ویژه و ضریب دمایی مقاومت ویژه در ماده مقاومت ویژه ،
ضریب دمایی ، یا مس 8-10×69/1 3-10×9/3نقره 8-10×59/1 3-10×8/3طلا 8-10×44/2 3-10×4/3آلومینیوم 8-10×83/2 3-10×0/4تنگستن 8-10×33/5 3-10×6/4پلاتین 8-10×4/10 3-10×9/3منگاتین 8-10×2/48 0
كنستانتان 8-10×9/48 6-10×2نیكروم 8-10×100 2-10×4كربن 5-10×5/3 4-10×5-ژرمانیم 5/0~ 2-10×5- ~سیلیسیم 1000~ 2-10×7- ~چوب 1014-108 –شیشه 1014-1010 –كوارتز بیشكل (شیشه كوارتز) 17-10×5 –
نارسانا در دمای ، در جدول 20-1 درج شدهاند. گستره این مقادیر 25 دهه (مرتبه بزرگی) است.علت بروز مقاومت در برابر جریان بار در رساناها این است كه حاملهای بار به موانع گوناگونی برخورد میكنند كه میخواهند جلوی حركت آنها را بگیرند. حاملهای باربر اثر برخورد با این موانع انرژی و اندازه حركتی را كه، از برخورد قبلی تا حال، از میدان الكتریكی گرفته بودند، از دست می دهند. چنان كه به زودی خواهیم دید، از دست رفتن انرژی باعث میشود كه مقاومتی كه جریان از داخل آن میگذرد گرم شود.
موانعی كه الكترونهای رسانش را پراكنده میكنند، ممكن است ناخالصیهای موجود در فلزات خالص باشند، زیرا دستیابی به فلز مطلقاً خالص ناممكن است. حتی بلور فلزات مطلقاً خالص (جز ابررساناها در دمای به حد كافی پایین) مقاومتی ماصفر دارد، زیرا حركت گرمایی اتمهای بلور فلز، الكترونهای آزاد را پراكنده میكند. چون دامنه این حركت ارتعاشی در بلور با افزایش دما زیاد میشود، باید انتظار داشت كه پراكنش الكترونهای آزاد، و درنتیجه مقاومت ویژه رساناهای فلزی، نیز با افزایش دما زیاد شود. در واقع همین پدیده را هم مشاهده میكنیم.ضریب دمایی مقاومت ویژه را مانند ضریب انبساط گرمایی تعریف میكنند:(20-8) مقادیر برای چند فلز خالص، آلیاژ، و كربن، كه رسانایی غیرفلزی است، در جدول 20-1 درج شدهاند.امكان پیشبینی و توصیف مقاومت ویژه نیمرساناها خیلی كمتر است. این مقاومت ویژه به شدت تابع دما و نیز غلظت ناخالصیهای موجود در ماده میزبان است (فصل 30).
20-10 رسانش عصبیمغز را غالباً به كامپیوتر تشبیه میكنند، و این تشبیه معقول به نظر میآید. مغز نیز، مانند كامپیوتر، می تواند اطلاعات را دریافت، پردازش، و در حافظه ذخیره كند، و نیز می تواند دستوراتی به واحدهای محیطی بدهد. به علاوه، در اینجا هم مانند كامپیوتر، هركدام از این اعمال شامل انتقال تكانههای الكتریكی است.اصطلاح «سیستم عصبی» شامل مغز، نخاع، و نورونهای محیطی است. عصبشناسان به نورونهای حسی، كه سیگنالهایی از اندامهای حسی مانند چشم و گوش به مغز میفرستند، فرق میگذارند. بدن انسان میلیونها نورون دارد، وگرچه جزئیات این نورونها با هم متفاوت است، برخی مشخصههای آنها مشترك است.
نورون از پیكره سلولی، شامل هسته سلول، تعدادی زائده منشعب یعنی دندریتها، و دنبالهای دراز، موسوم به تار عصبی یا اكسون، تشكیل میشود. اكسون مانند خط انتقالی از پیكره سلولی به سرهای دور از پیكره سلولی است.فعالیت الكتریكی در سیناپسها (پیوند نورونی) آغاز میشود. سیناپسها به دندریتها متصلاند. محرك دندریت میتواند یك سیگنال الكتریكی باشد؛ اما، در اكثر موارد، مادهای شیمیایی است (مثل استیل كولین) كه به مدتی كوتاه پتانسیل الكتریكی دو طرف غشای سلولی را در سیناپس تغییر میدهد و نورون را به فعالیت وا میدارد. سردور از پیكره نورون (یا آكسون) نیز یك یا چند سیناپس دارد كه، در پاسخ به تحریك الكتریكی، مادهای شیمیایی آزاد میكند.
تمامی سلولها، ازجمله نورونها، را غشایی ظریف دربرگرفته است كه اجزای سلول (هسته، ماده ژنتیكی، میتوكوندریها، آنزیمها، و غیره) را از مایع برون سلولی جدا می كند و انسجام سیتوپلاسم. یعنی مایع سلولی، را حفظ می كند. غشای نورونها مجراها یا منافذ زیادی دارد كه یونهای پتاسیم میتوانند با آزادی نسبی از آنها بگذرند، اما عبور یونهای سدیم از آنها منع میشود. مجراهای دیگری وجود دارد كه یونهای سدیم میتوانند از آنها بگذرند، اما در شرایط عادی مولكولهایی آلی، كه مانند دروازه عمل میكنند، این مجراها را میبندند. تركیب پیچیده آلی دیگری در سطح داخلی غشا وجود دارد كه مانند تلمبه عمل میكند، و به طور ثابت یونهای سدیم را از سیتوپلاسم میكشد و به مایع برون سلولی میفرستد.
در نتیجه این عمل تلمبهزنی، اختلاف پتانسیلی در دو طرف غشای سلولی به وجود می آید. معمولاً داخل سلول در حدود mV70 منفی تر از بیرون آن است. این كمیت را پتانسیل استراحت سلول مینامند. به بیان دیگر، اكسون مانند یك خازن دراز استوانهای است؛ غشای نازك و نارسانای سلول دو ناحیه با رسانایی متوسط یونی،سیتوپلاسم و مایع برون سلولی، را از هم جدا میكند. ظرفیت نورونها تقریباً بر سانتیمتر مربع است كه متناظر است با غشایی به ضخامت حدوداً nm10 و ثابت دیالكتریك 5، سطح داخلی غشا یك بارز خالص منفی و سطح خارجی یك بار خالص مثبت دارد.
نفوذپذیری (تراوایی) مجراهای سدیم و پتاسیم در غشا به تغییرات پتانسیل غشا حساس است. اگر، در نقطهای در طول نرون، اختلاف پتانسیل دوطرف غشا به كمتر از استانهای معین برسد، دروازههای سدیم به مدتی كوتاه (در حدود ms1) به سرعت گشوده میشوند. در این حالت یونهای مثبت سدیم، كه غلظت آنها در مایع برون سلولی بیشتر از سیتوپلاسم است، از این دروازههای
گشوده شده به داخل سلول هجوم میآورند. درنتیجه، پتانسیل داخل سلول در آن نقطه به سرعت بالا میرود و معمولاً نسبت به بیرون كمی مثبت میشود. چون مایعهای داخلی و خارجی سلول رساناهایی یونیاند، پتانسیل دو طرف غشا در نواحی مجاور ناحیه فعال نیز از استانه گشوده شدن دروازهها كمتر میشود. دروازههای سدیم در نقاط مجاور نیز باز میشوندا، جتی با وجودی كه دروازههای سدیم در نقطه ابتدایی بسته میشوند، ورود یونهای سدیم را به داخل میسر میكنند. به این ترتیب، این پتانسیل كنش در راستای اكسون نورون منتشر میشود.
نورونی كه یك بار تحریك شود، نمیتواند بلافاصله پتانسیل كنش دیگری را منتقل كند. زمان بازیابی كوتاهی، موسوم به دوره تحریكناپذیری، وجود دارد كه در خلال آن، تحریكهای بالاتر از آستانه، پتانسیل كنش ایجاد نمیكنند. دوره تجریكناپذیری نوعاً از مرتبه یك میلی ثانیه است. و تعداد پالسهایی را كه نورون میتواند منتقل كند به حدود هزار پالس در هر ثانیه محدود میكند. در طول دوره تحریكپذیری، تلمبه سدیم اندك یونهای سدیمی را كه، در زمان گشوده بودن دروازههای سدیم، به داخل نفوذ كرده بودند به بیرون تلمبه میكند، و نورون برای پاسخ به تحریكهای بالاتر از آستانه دیگر آماده میشود.
ادامه خواندن مقاله در مورد الكتريسيته و مغناطيس و انرژي خورشيدي
نوشته مقاله در مورد الكتريسيته و مغناطيس و انرژي خورشيدي اولین بار در دانلود رایگان پدیدار شد.